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本研究的重点是创新的三维表面结构，适用于具有多晶硅或晶体基底的硅太阳能电池。其厚度大于25 μ m，效率提高了约30%。该技术可适用于不同的衬底制造方法。该技术是基于标准的硅太阳能电池制造技术。该理论基于半导体器件的基本原理，预计将产生预期的结果。这项研究涉及太阳能电池、清洁技术、设备和应用物理学。这项技术在美国、欧洲、中国、日本、韩国和以色列都有专利申请。
创新
根据研究结果，在硅表面上集成了优化的掺杂轮廓和接触电极的创新三维几何，使用标准微电子制造技术可使效率提高30%。
关键特性
本研究的主要特点包括:
- 它是基于标准的制造技术。
- 以最小的成本增加效率。
- 它为弱吸收的红光和红外线提供了解决方案，确保了更高的收集效率。
- 适用于晶体硅和多晶硅。
- 串联电阻和金属遮阳损失显著降低。
应用程序
硅晶圆太阳能电池目前占商业太阳能电池市场的86%以上。
当前的状态
初步样品正在铸造中。
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